常規(guī)壓控晶振VCXO與聲表面波壓控晶振VCSO |
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型號(hào) | 外部 尺寸 [mm] |
輸出頻率 范圍 [MHz] |
頻率溫度特征 | 輸出 | 電源 電壓 Typ.[V] |
頻率 控制范圍 [ppm] Min. |
壓控電壓 [V] |
規(guī)格書 | |
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頻率公差 [ppm] Max. |
工作溫度 [°C] |
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VG7050CDN | 7.0x5.0x1.5 | 85 to 170 | ±50 |
-40 to +85 | CMOS | 3.3 | ±50 | 1.65±1.65 | ![]() 612KB |
±50 | -40 to +105 | ||||||||
VG3225EFN | 3.2x2.5x1.05 | 25 to 500 | ±50 |
-40 to +85 | LV-PECL | 3.3 | ±50 ±20 ±10 |
1.65±1.65 | ![]() 662KB |
±50 | -40 to +105 | ||||||||
VG5032EFN | 5.0x3.2x1.3 | 25 to 250 | ±50 |
-40 to +85 | LV-PECL | 3.3 | ±50 ±20 ±10 |
1.65±1.65 | ![]() 662KB |
±50 | -40 to +105 | ||||||||
VG7050EFN | 7.0x5.0x1.5 | 25 to 250 | ±50 |
-40 to +85 | LV-PECL | 3.3 | ±50 ±20 ±10 |
1.65±1.65 | ![]() 662KB |
±50 | -40 to +105 | ||||||||
VG5032EDN | 5.0x3.2x1.3 | 85 to 170 | ±50 |
-40 to +85 | LV-PECL | 3.3 | ±50 | 1.65±1.65 | ![]() 375KB |
±50 | -40 to +105 | ||||||||
VG3225VFN | 3.2x2.5x1.05 | 25 to 500 | ±50 |
-40 to +85 | LVDS | 3.3 | ±50 ±20 ±10 |
1.65±1.65 | ![]() 662KB |
±50 | -40 to +105 | ||||||||
VG5032VFN | 5.0x3.2x1.3 | 25 to 250 | ±50 |
-40 to +85 | LVDS | 3.3 | ±50 ±20 ±10 |
1.65±1.65 | ![]() 662KB |
±50 | -40 to +105 | ||||||||
VG7050VFN | 7.0x5.0x1.5 | 25 to 250 | ±50 |
-40 to +85 | LVDS | 3.3 | ±50 ±20 ±10 |
1.65±1.65 | ![]() 662KB |
±50 | -40 to +105 | ||||||||
VG5032VDN | 5.0x3.2x1.3 | 85 to 170 | ±50 |
-40 to +85 | LVDS | 3.3 | ±50 | 1.65±1.65 | ![]() 375KB |
±50 | -40 to +105 | ||||||||
VG-4231CE | 3.2x2.5x1.05 | 3 to 60 | ±30 |
-20 to +70 | CMOS | 3.3 2.5 1.8 |
±140 ±120 |
C VC=1.65 B VC=1.40 E VC=0.90 |
![]() 419KB |
±37 | -40 to +85 | ||||||||
EV7050EAN | 7.0x5.0x1.6 | 600 to 1100 1200 to 2200 |
-100 to +100 | -10 to +85 | LV-PECL | 3.3 | ±50 ±30 |
1.5±1.4 | ![]() 575KB |
-120 to +120 | -40 to +85 |
- VCSO和VCXO是什么意思?
VCXO即:Voltage Controlled X'tal(crystal) Oscillator。中文含義是電壓控制晶體振蕩器,也簡(jiǎn)稱為壓控晶振,其中X'tal是crystal(石英晶體)的意思。其含義是從外部輸入控制電壓,以此改變輸出頻率的石英振蕩器。
VCSO是voltage controlled SAW(surface acousto-optical wave ) oscillator。中文含義是壓控聲表面波振蕩器。主要指相對(duì)VCSO更高頻率的800MHz以上的壓控晶振。
- 為什么選擇EPSON?
隨著各種網(wǎng)絡(luò)中大容量、高速光通信的發(fā)展,傳送規(guī)格不斷增多,使得光傳送裝置※2需要應(yīng)對(duì)多種多樣的頻率。為此,顧客面臨著管理與工作量等眾多課題,例如需要在光傳送裝置中設(shè)置多只固定頻率振蕩器,或者在變更頻率之際更換振蕩器本身等。 在此,愛普生將能以100MHz以上的基波※3起振的高精度、高穩(wěn)定高頻基波模式石英晶體單元※4與應(yīng)用半導(dǎo)體技術(shù)制造的省電、低噪音"小數(shù)分頻鎖相環(huán)芯片相組合,通過(guò)適化,實(shí)現(xiàn)了低噪音、低抖動(dòng)及低電流消耗的程控鎖相環(huán)壓控晶體振蕩器。 顧客可指定壓控晶體振蕩器工廠出貨時(shí)的輸出頻率與頻率控制范圍,也可以通過(guò)I2C通信與端子設(shè)定※6自行變更輸出頻率和頻率控制范圍。這使光傳送裝置的頻率變更更為簡(jiǎn)單,并能大幅度節(jié)省用于新頻率通信規(guī)格的光傳送裝置的開發(fā)工作量。
- 壓控晶體振蕩器使用場(chǎng)合
壓控振蕩器常被用在:
1、訊號(hào)產(chǎn)生器。
2、電子音樂(lè)中用來(lái)制造變調(diào)。
3、鎖相回路。
4、通訊設(shè)備中的頻率合成器等場(chǎng)合。當(dāng)頻率需要在小范圍內(nèi)的調(diào)整時(shí)、當(dāng)正確的頻率或相位對(duì)于振蕩器而言是十分重要時(shí)、利用不同電壓來(lái)當(dāng)作控制源的振蕩器、用來(lái)分散在某個(gè)頻率范圍內(nèi)的干擾使該頻段不受到太大的影響。
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在5G網(wǎng)絡(luò)高速發(fā)展的浪潮中,室外基站作為信號(hào)覆蓋的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),面臨著前所未有的性能挑戰(zhàn)。高速率、低延時(shí)、高可靠的通信目標(biāo)對(duì)基站內(nèi)部時(shí)鐘源的精度與穩(wěn)定性提出了嚴(yán)苛要求。愛普生SG2016CAN有源晶振憑借其卓越性能與可靠性,在5G室外基站控制器中扮演了核心計(jì)時(shí)角色,成為保障網(wǎng)絡(luò)性能的理想之選。...
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